Title :

Electrical and thermal analysis of AlGaN/GaN HEMTs transferred onto diamond substrate through an aluminum nitride layer

Author(s) :

Abou Daher, Mahmoud [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, Bertrand [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Guhel, Yannick [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Tartarin, Jean-Guy [Auteur]
Équipe Microondes et Opto-microondes pour Systèmes de Télécommunications [LAAS-MOST]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Publisher :

Wiley

Publication date :

2021-09

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

English abstract : [en]

In this paper, electrical and thermal analysis of short gate length AlGaN/GaN HEMTs (high electron mobility transistors) transferred onto diamond substrate through aluminum nitride (AlN) layer are provided. The specific ...
Show more >In this paper, electrical and thermal analysis of short gate length AlGaN/GaN HEMTs (high electron mobility transistors) transferred onto diamond substrate through aluminum nitride (AlN) layer are provided. The specific transfer technology uses sputtered AlN as bonding layer. An improvement in maximum DC current density of 14% is observed after transfer on the diamond substrate, with attractive RF performances as well. Lag effects are evaluated thanks to pulsed measurement. Thermal analysis is also proposed to quantify the effects of bonding on self-heating. Both electrical and thermal characterizations are used as markers to evaluate the impact of the transfer process on the developed HEMT.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL

Submission date :

2021-07-27T06:59:50Z