Titre :

First power performance demonstration of flexible AlGaN/GaN high electron mobility transistor

Auteur(s) :

Mhedhbi, Sarra [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Altuntas, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Damilano, Benjamin [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Jimenez, Gema Tabares [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Centre National de la Recherche Scientifique [CNRS]
Ebongue, Abel [Auteur]
Hoel, Virginie [Auteur]
Circuits Systèmes Applications des Micro-ondes - IEMN [CSAM - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

IEEE Electron Device Letters

Pagination :

553-555

Éditeur :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Date de publication :

2016-05

ISSN :

0741-3106

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Flexible
AlGaN/GaN
high electron mobility transistor (HEMT)
millimeter-wave power density

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

This letter reports on the first demonstration of microwave power performance at 10 GHz on flexible AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT). A maximum dc current density of 620 mA/mm at V-GS = 0 V and a peak ...
Lire la suite >This letter reports on the first demonstration of microwave power performance at 10 GHz on flexible AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor (HEMT). A maximum dc current density of 620 mA/mm at V-GS = 0 V and a peak extrinsic transconductance of 293 mS/mm are obtained for a 2 x 50 x 0.1 mu m(2) flexible device. At V-DS = 5 V, a continuous-wave saturation output power density of 0.42 W/mm is achieved at 10 GHz, and associated with a maximum power-added efficiency of 29.8% and a linear power gain of 15.8 dB. The device exhibits an intrinsic current gain cutoff frequency F-T of 38 GHz and a maximum oscillation frequency F-MAX of 75 GHz. This result demonstrates the capability of flexible GaN-based HEMT for the development of applications requiring mechanical flexibility, high frequency operation, as well as high power performance.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Réseau national sur GaN

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL