Dimensional and mechanical characterization ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
Dimensional and mechanical characterization of metallic thin films based on the measurement of surface acoustic waves dispersion with Slant Stack transform
Author(s) :
Kadi, Tahar [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Transduction, Propagation et Imagerie Acoustique - IEMN [TPIA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Duquennoy, Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Transduction, Propagation et Imagerie Acoustique - IEMN [TPIA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Fall, Dame [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Transduction, Propagation et Imagerie Acoustique - IEMN [TPIA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Smagin, Nikolay [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Piwakowski, Bogdan [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Transduction, Propagation et Imagerie Acoustique - IEMN [TPIA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Ouaftouch, Mohammadi [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Transduction, Propagation et Imagerie Acoustique - IEMN [TPIA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Jenot, Frederic [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Transduction, Propagation et Imagerie Acoustique - IEMN [TPIA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
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Transduction, Propagation et Imagerie Acoustique - IEMN [TPIA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Duquennoy, Marc [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Transduction, Propagation et Imagerie Acoustique - IEMN [TPIA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Fall, Dame [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Transduction, Propagation et Imagerie Acoustique - IEMN [TPIA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Smagin, Nikolay [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
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Piwakowski, Bogdan [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Transduction, Propagation et Imagerie Acoustique - IEMN [TPIA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Ouaftouch, Mohammadi [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Transduction, Propagation et Imagerie Acoustique - IEMN [TPIA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Jenot, Frederic [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Transduction, Propagation et Imagerie Acoustique - IEMN [TPIA - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Journal title :
Measurement Science and Technology
Pages :
105009
Publisher :
IOP Publishing
Publication date :
2020-10-01
ISSN :
0957-0233
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Informatique [cs]
Physique [physics]
Informatique [cs]
Physique [physics]
English abstract : [en]
In this study, an ultrasonic method for characterizing thin films based on the dispersion of the first Rayleigh mode is presented. The principle of surface acoustic waves (SAW) generation using a broadband transducer and ...
Show more >In this study, an ultrasonic method for characterizing thin films based on the dispersion of the first Rayleigh mode is presented. The principle of surface acoustic waves (SAW) generation using a broadband transducer and their detection is detailed. It is shown that over a frequency range between 20 MHz and 125 MHz, SAWs are sensitive to fine deposits and the attenuation is reasonable thus enabling measurements over 20 millimeters. The Slant Stack transform used to obtain the experimental dispersion curves with excellent signal-to-noise ratios is then presented and analysed. Finally, four samples of silicon on which gold layers 400 nm, 300 nm, 180 nm, and 50 nm thick had been deposited were characterized. The thicknesses and the elastic parameters of the gold layers and the silicon substrate were obtained from the inversions performed on the experimental dispersion curves. These results show the efficiency of the non-destructive ultrasonic technique associated with a Slant Stack transform before inversion.Show less >
Show more >In this study, an ultrasonic method for characterizing thin films based on the dispersion of the first Rayleigh mode is presented. The principle of surface acoustic waves (SAW) generation using a broadband transducer and their detection is detailed. It is shown that over a frequency range between 20 MHz and 125 MHz, SAWs are sensitive to fine deposits and the attenuation is reasonable thus enabling measurements over 20 millimeters. The Slant Stack transform used to obtain the experimental dispersion curves with excellent signal-to-noise ratios is then presented and analysed. Finally, four samples of silicon on which gold layers 400 nm, 300 nm, 180 nm, and 50 nm thick had been deposited were characterized. The thicknesses and the elastic parameters of the gold layers and the silicon substrate were obtained from the inversions performed on the experimental dispersion curves. These results show the efficiency of the non-destructive ultrasonic technique associated with a Slant Stack transform before inversion.Show less >
Language :
Anglais
Popular science :
Non
European Project :
Source :