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Thermal response for intermodulation ...
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Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
10.1016/j.mee.2019.03.011
Title :
Thermal response for intermodulation distortion components of GaN HEMT for low and high frequency applications
Author(s) :
Alim, Mohammad A. [Auteur]
Ali, Mayahsa M. [Auteur]
Rezazadeh, Ali A. [Auteur]
University of Manchester [Manchester]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
MICROELECTRONIC ENGINEERING
Pages :
53-59
Publisher :
Elsevier
Publication date :
2019-03
ISSN :
0167-9317
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
  • Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520
Source :
Harvested from HAL
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