Titre :

Cl₂/Ar based atomic layer etching of AlGaN layers

Auteur(s) :

Aroulanda, Sébastien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Patard, Olivier [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab]
Altuntas, Philippe [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab]
Michel, Nicolas [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab]
Pereira, Jorge [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab]
Lacam, Cédric [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab]
Gamarra, Piero [Auteur]
Alcatel-Thales III-V Lab [III-V Lab]
Delage, Sylvain L. [Auteur]
Alcatel-Thalès III-V lab [III-V Lab]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]

Titre de la revue :

Journal of Vacuum Science & Technology A

Pagination :

041001

Éditeur :

American Vacuum Society

Date de publication :

2019-07

ISSN :

0734-2101

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Heterostructures
Semiconductor materials
Atomic-layer etching
Semiconductor device fabrication
Nitrides
Two-dimensional electron gas
Field effect transistors

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

This paper reports on atomic layer etching of several III-N materials such as GaN, AlN, AlGaN, and InAlGaN based on a sequential surface modification by chlorine adsorption followed by a low energy Ar plasma exposure to ...
Lire la suite >This paper reports on atomic layer etching of several III-N materials such as GaN, AlN, AlGaN, and InAlGaN based on a sequential surface modification by chlorine adsorption followed by a low energy Ar plasma exposure to remove the modified layer using a reactive ion etching system. A study on the influence of several parameters, such as gas flow rates, removal step duration, RIE power and number of cycles on the etch per cycle, and the root-mean-square roughness, is performed. Low etch per cycle from 0.17 to 1.85 nm/cycle, respectively, for AlGaN and GaN and surfaces as smooth as the as-grown samples were obtained. The developed process is intended to be used for normally off GaN-based high electron mobility transistor processing.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Réseau national sur GaN

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL