Etude de nouvelles structures guide d'onde sur matériaux III-V pour la commutation optique et la photodétection

Abstract

Cette thèse comporte quatre chapitres, qui correspondent aux quatre projets que nous avons menés de façon aussi approfondie que possible, en mettant en œuvre chaque fois une technologie de type guide d’onde, chacun de ces dispositifs ayant ensuite été caractérisés aussi complètement que possible. Les quatre type d’objets nouveaux que nous avons réalises et caractérisés sont : des guides d’ondes actifs de la filière InP à contact Schottky pour la commutation optique, des guides d’onde à base d’une double hétérostructure GaAsSbN/GaAs pour le guidage optique à la longueur d’onde 1,55 µm et la commutation, des photodiodes de puissance InP constituées d’un guide d’onde multimode dilué couplé monolithiquement de façon évanescente à une photodiode PIN dérivée de la photodiode UTC, des photodiodes PIN-guide sur GaAs pour la photodétection à la longueur d’onde 1,3 µm. Pour chacun de ces chapitres, nous analysons successivement, nos motivations, la structure des dispositifs, la technologie et les résultats expérimentaux.