Titre :

A new equivalent circuit scheme for grounded back-to-back GCPW-MS-GCPW transitions fabricated on a thin low-k substrate

Auteur(s) :

Dugué, Pierre-Vincent [Auteur]
Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique [IETR]
El Gibari, Mohammed [Auteur]
Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique [IETR]
Halbwax, Mathieu [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Ginestar, Stephane [Auteur]
Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique [IETR]
Avramovic, Vanessa [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Vilcot, Jean-Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Li, Hong Wu [Auteur]
Institut d'Électronique et des Technologies du numéRique [IETR]

Titre de la revue :

Progress In Electromagnetics Research Letters

Pagination :

33-42

Éditeur :

EMW Publishing

Date de publication :

2021

ISSN :

1937-6480

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Autre

Résumé en anglais : [en]

We hereby present a new equivalent circuit model including both lumped and distributed elements for GCPW-MS transitions (GCPW for Grounded CoplanarWaveguide and MS for Microstrip). In order to validate the modelling results, ...
Lire la suite >We hereby present a new equivalent circuit model including both lumped and distributed elements for GCPW-MS transitions (GCPW for Grounded CoplanarWaveguide and MS for Microstrip). In order to validate the modelling results, such transitions have been fabricated on a 20 μm-thick BCB (Benzocyclobutene resin) substrate using grounding pads including via-holes of different diameters. The study focused on the impact of the via-hole diameter on the performance of the transition and more specifically on its bandwidth. The transitions were made using a simple technological process based on photosensitive polymer. ADS simulation data of the new equivalent circuit model were in very good agreement with measured S-parameters. Both theoretical and experimental results have shown that the bandwidth of such a transition can reach up to 100 GHz using via-holes of 900 μm diameter.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Déflecteur à base d'un guide optique à fuite en polymère en vue de la réalisation d'un convertisseur analogique-numérique tout-optique à plus de 40 Giga échantillons par seconde

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL