Titre :

Metalorganic chemical vapor phase epitaxy growth of buffer layers on 3C-SiC/Si(111) templates for AlGaN/GaN high electron mobility transistors with low RF losses

Auteur(s) :

Frayssinet, Eric [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Nguyen, Luan [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Lesecq, Marie [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Garcia Barros, Maxime [Auteur]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
Comyn, Rémi [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Ngo, Thi Huong [Auteur]
Zielinski, Marcin [Auteur]
Laboratoire de Photonique Quantique et Moléculaire [LPQM]
Portail, Marc [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]

Titre de la revue :

Physica Status Solidi A (applications and materials science)

Pagination :

1900760

Éditeur :

Wiley

Date de publication :

2020-04

ISSN :

1862-6300

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

Herein, the interest of cubic silicon carbide as a template for the growth of AlGaN/ GaN high electron mobility transistor (HEMT) heterostructures on silicon substrates for high-frequency operation is shown. On the one ...
Lire la suite >Herein, the interest of cubic silicon carbide as a template for the growth of AlGaN/ GaN high electron mobility transistor (HEMT) heterostructures on silicon substrates for high-frequency operation is shown. On the one hand, 0.6-0.8 μm-thick 3C-SiC grown by chemical vapor deposition on intrinsic silicon substrate having initial resistivity superior to 5 kΩ cm enables the metalorganic vapor phase epitaxy of GaN buffer layers with propagation losses below 0.4 dB mm À1 at 40 GHz and 0.5 dB mm À1 at 67 GHz. On the other hand, an HEMT heterostructure is grown on 1.5 μm-thick 3C-SiC on 4 off-axis silicon substrate having an initial resistivity superior to 200 Ω cm that allows to keep a sufficiently resistive epilayer stack limiting the loss up to 0.78 dB mm À1 at 40 GHz. Device process developed on a piece of the 100 mm diameter wafer leads to the demonstration of DC transistor operation with low leakage currents. Compared with direct growth on silicon, these templates enable reduced radio frequency (RF) propagation losses that are very interesting for high-frequency transistors and circuits operation.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Réseau Actif de Formateurs Quasi-Optiques
Réseau national sur GaN

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL