High Power AlN/GaN HEMTs with record ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
High Power AlN/GaN HEMTs with record power-added-efficiency >70% at 40 GHz
Auteur(s) :
Harrouche, Kathia [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kabouche, Riad [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kabouche, Riad [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
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Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (IMS 2020)
Ville :
Los Angeles, CA
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2020-08-04
Titre de la revue :
2020 IEEE/MTT-S International Microwave Symposium (IMS)
Éditeur :
IEEE
Mot(s)-clé(s) en anglais :
GaN
HEMTs
AlN/GaN
output power density (Pout)
Q-band
power added efficiency (PAE)
HEMTs
AlN/GaN
output power density (Pout)
Q-band
power added efficiency (PAE)
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Résumé en anglais : [en]
We report on breakthrough power-added-efficiency (PAE) Q-band performances using a vertically scaled AlN/GaN HEMT technology. The comparison between a 3 nm and 4 nm barrier thickness shows both superior performance and ...
Lire la suite >We report on breakthrough power-added-efficiency (PAE) Q-band performances using a vertically scaled AlN/GaN HEMT technology. The comparison between a 3 nm and 4 nm barrier thickness shows both superior performance and robustness for the thinner barrier layer attributed to the reduced mechanical strain into the heterostructure. Large signal characteristics at 40 GHz revealed an outstanding PAE of 73% at VDS = 30V associated to an output power density > 5 W/mm in pulsed mode. Also, the load-pull measurements mapping across the 4-inch wafer demonstrates a high uniformity and reproducibility of the results. Consequently, significantly improved PAE can be expected for next generation of high power MMICs operating in the millimeter-wave range.Lire moins >
Lire la suite >We report on breakthrough power-added-efficiency (PAE) Q-band performances using a vertically scaled AlN/GaN HEMT technology. The comparison between a 3 nm and 4 nm barrier thickness shows both superior performance and robustness for the thinner barrier layer attributed to the reduced mechanical strain into the heterostructure. Large signal characteristics at 40 GHz revealed an outstanding PAE of 73% at VDS = 30V associated to an output power density > 5 W/mm in pulsed mode. Also, the load-pull measurements mapping across the 4-inch wafer demonstrates a high uniformity and reproducibility of the results. Consequently, significantly improved PAE can be expected for next generation of high power MMICs operating in the millimeter-wave range.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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