Titre :

Comparison of C-Doped AlN/GaN HEMTs and AlN/GaN/AlGaN Double Heterostructure for mmW Applications

Auteur(s) :

Kabouche, Riad [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Derluyn, Joff [Auteur]
Püsche, Roland [Auteur]
Degroote, Stefan [Auteur]
Germain, Marianne [Auteur]
Pécheux, Romain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Plateforme de Caractérisation Multi-Physiques - IEMN [PCMP - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC 2018)

Ville :

Madrid

Pays :

Espagne

Date de début de la manifestation scientifique :

2018-09-23

Titre de la revue :

2018 13th European Microwave Integrated Circuits Conference (EuMIC)

Éditeur :

IEEE

Mot(s)-clé(s) en anglais :

double heterostructure field effect transistor (DHFET)
GaN
high electron mobility transistors (HEMTs)
output power density and power added efficiency (P AE)

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Résumé en anglais : [en]

We report on a comparison of the ultrathin (sub-10 nm barrier thickness) AlN/GaN heterostructure using two types of buffer layers for millimeter-wave applications: 1) carbon doped GaN high electron mobility transistors ...
Lire la suite >We report on a comparison of the ultrathin (sub-10 nm barrier thickness) AlN/GaN heterostructure using two types of buffer layers for millimeter-wave applications: 1) carbon doped GaN high electron mobility transistors (HEMTs) and 2) double heterostructure field effect transistor (DHFET). It is observed that the carbon doped HEMT structure shows superior electrical characteristics, with a maximum drain current density Id of 1.5 A/mm, an extrinsic transconductance Gm of 500 mS/mm and a maximum oscillation frequency fmax of 242 GHz while using a gate length of 120 nm. The C-doped structure delivering high frequency performance together with an excellent electron confinement under high bias enabled to achieve a state-of-the-art combination at 40 GHz of output power density (POUT = 7 W/mm) and power added efficiency (PAE) above 52% up to VDS = 25V in pulsed mode. I.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL