Study of resonant transport in InAs-based ...

Document type :
Article dans une revue scientifique
DOI :
10.1063/5.0011780
Title :
Study of resonant transport in InAs-based quantum hot electron transistors
Author(s) :
Van, H. Nguyen [Auteur]
Institut d’Electronique et des Systèmes [IES]
Baranov, A. [Auteur]
Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge [NANOMIR]
Institut d’Electronique et des Systèmes [IES]
Teissier, R. [Auteur]
Composants à Nanostructure pour le moyen infrarouge [NANOMIR]
Institut d’Electronique et des Systèmes [IES]
Zaknoune, M. [Auteur]
Advanced NanOmeter DEvices - IEMN [ANODE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Journal title :
AIP Advances
Pages :
075027
Publisher :
American Institute of Physics- AIP Publishing LLC
Publication date :
2020-07-01
ISSN :
2158-3226
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
ANR Project :
Transistors à électrons chauds ultra-rapide à base d'InAs
Collections :
Source :
Harvested from HAL
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