Titre :

Influence of doping level and surface states in tunneling spectroscopy of an In_0.53Ga_0.47As quantum well grown on p-type doped InP(001)

Auteur(s) :

Franchina Vergel, Nathali Alexandra [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Tadjine, A. [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Notot, V. [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mohr, M. [Auteur]
Kouassi N’guissan, A. [Auteur]
Coinon, Christophe [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthe, Maxime [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Biadala, Louis [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Sossoe, K. [Auteur]
Dzagli, M. [Auteur]
Girard, J.-C. [Auteur]
Centre de Nanosciences et Nanotechnologies [C2N (UMR_9001)]
Rodary, Guillemin [Auteur]
Centre de Nanosciences et Nanotechnologies [C2N (UMR_9001)]
Desplanque, Ludovic [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berndt, R. [Auteur]
Institut für Experimentelle und Angewandte Physik [Kiel] [IEAP]
Stievenard, D. [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delerue, Christophe [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, Bruno [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Physical Review Materials

Éditeur :

American Physical Society

Date de publication :

2019-09-20

ISSN :

2475-9953

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]

Résumé en anglais : [en]

A steplike density of states is the hallmark of a two-dimensional electron gas. Here, scanning tunneling spectroscopy is used to investigate this property in the differential conductance of an In0.53Ga0.47As quantum well ...
Lire la suite >A steplike density of states is the hallmark of a two-dimensional electron gas. Here, scanning tunneling spectroscopy is used to investigate this property in the differential conductance of an In0.53Ga0.47As quantum well grown on p-type doped InP(001). We show that the appearance of a steplike function in the conduction band strongly depends on both the hole concentration in the quantum well and the current injected into the quantized states. Based on four-point probe transport measurements and tunneling-induced light-emission spectroscopy, we discuss the physical mechanisms at the origin of the current and unveil the significant contribution of midgap surface states in the relaxation of the tunneling electrons. These surface states, via pinning of the Fermi level, also affect the potential landscape across the quantum well, as demonstrated by tight-binding calculations of the quantum well electronic structure.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Centre expérimental pour l'étude des propriétés des nanodispositifs dans un large spectre du DC au moyen Infra-rouge.
Super-réseau d'antipoints de Dirac pour les électrons dans les semiconducteurs III-V
Positionnement à l'échelle atomique et contrôle cohérent mécanique du spin d'un atome magnétique

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL