‘High Linearity Performance of Gallium ...

Document type :
Article dans une revue scientifique
Title :
‘High Linearity Performance of Gallium Nitride HEMT Devices on Silicon Substrate at 4 GHz’
Author(s) :
Vellas, N. [Auteur]
Gaquière, Christophe [Auteur]
Guhel, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Werquin, M. [Auteur]
Aubry, R. [Auteur]
Bue, F. [Auteur]
Delage, S. [Auteur]
Semond, F. [Auteur]
de Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Journal title :
IEEE Electron Device Letters
Publisher :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Publication date :
2002
ISSN :
0741-3106
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL