Structural and electrical properties of ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
Titre :
Structural and electrical properties of AlGaN/GaN HEMTs grown by MBE on SiC, Si(111) and GaN templates
Auteur(s) :
Cordier, Y. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Hugues, M. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Semond, F. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Natali, F. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Lorenzini, P. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Bougrioua, Zahia [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Massies, J. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Frayssinet, E. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Beaumont, B. [Auteur]
Gibart, P. [Auteur]
Faurie, J.-P. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Hugues, M. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Semond, F. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Natali, F. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Lorenzini, P. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Bougrioua, Zahia [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Massies, J. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Frayssinet, E. [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Beaumont, B. [Auteur]
Gibart, P. [Auteur]
Faurie, J.-P. [Auteur]
Titre de la revue :
Journal of Crystal Growth
Pagination :
383-386
Éditeur :
Elsevier
Date de publication :
2005-05
ISSN :
0022-0248
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]
Résumé en anglais : [en]
In this work, AlGaN/GaN high electron mobility transistors have been grown by ammonia source molecular beam epitaxy (MBE) on silicon (1 1 1), silicon carbide and GaN templates on sapphire. The structural and electrical ...
Lire la suite >In this work, AlGaN/GaN high electron mobility transistors have been grown by ammonia source molecular beam epitaxy (MBE) on silicon (1 1 1), silicon carbide and GaN templates on sapphire. The structural and electrical properties of these layers have been studied in order to determine the impact of substrate choice and buffer layer on active layer quality. Furthermore, an intercalated AlN layer grown on a GaN template is shown to enhance the insulating properties of the buffer.Lire moins >
Lire la suite >In this work, AlGaN/GaN high electron mobility transistors have been grown by ammonia source molecular beam epitaxy (MBE) on silicon (1 1 1), silicon carbide and GaN templates on sapphire. The structural and electrical properties of these layers have been studied in order to determine the impact of substrate choice and buffer layer on active layer quality. Furthermore, an intercalated AlN layer grown on a GaN template is shown to enhance the insulating properties of the buffer.Lire moins >
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :
Fichiers
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