Titre :

Tunneling Atomic Layer-Deposited Aluminum Oxide: a Correlated Structural/ Electrical Performance Study for the Surface Passivation of Silicon Junctions

Auteur(s) :

Liu, Kangping [Auteur]
Cristini-Robbe, Odile [Auteur]
Laboratoire de Physique des Lasers, Atomes et Molécules - UMR 8523 [PhLAM]
Elmi, Omar [Auteur]
Université de Djibouti
Wang, Shuang [Auteur]
Wei, Bin [Auteur]
Yu, Ing-Song [Auteur]
Portier, Xavier [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Gourbilleau, Fabrice [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Stiévenard, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Xu, Tao [Auteur correspondant]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]

Titre de la revue :

Nanoscale Research Letters

Éditeur :

SpringerOpen

Date de publication :

2019

ISSN :

1931-7573

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Surface passivation
Atomic layer deposition
Alumina layer
Structural/electrical properties
Silicon p-n junction

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Chimie/Matériaux
Physique [physics]/Physique [physics]/Physique Numérique [physics.comp-ph]
Physique [physics]/Physique [physics]/Optique [physics.optics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electromagnétisme
Sciences de l'ingénieur [physics]/Matériaux
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Optique / photonique

Résumé en anglais : [en]

Passivation is a key process for the optimization of silicon p-n junctions. Among the different technologies used to passivate the surface and contact interfaces, alumina is widely used. One key parameter is the thickness ...
Lire la suite >Passivation is a key process for the optimization of silicon p-n junctions. Among the different technologies used to passivate the surface and contact interfaces, alumina is widely used. One key parameter is the thickness of the passivation layer that is commonly deposited using atomic layer deposition (ALD) technique. This paper aims at presenting correlated structural/electrical studies for the passivation effect of alumina on Si junctions to obtain optimal thickness of alumina passivation layer. High-resolution transmission electron microscope (HRTEM) observations coupled with energy dispersive X-ray (EDX) measurements are used to determine the thickness of alumina at atomic scale. The correlated electrical parameters are measured with both solar simulator and Sinton's Suns-Voc measurements. Finally, an optimum alumina thickness of 1.2 nm is thus evidenced.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Groupe d'Etudes et de Nanoanalyses des Effets d'IrradiationS
Centre expérimental pour l'étude des propriétés des nanodispositifs dans un large spectre du DC au moyen Infra-rouge.

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL