Titre :

Effects of thickness layer on the photoluminescence properties of InAlAs/GaAlAs quantum dots

Auteur(s) :

Daly, A. Ben [Auteur]
Bernardot, Frédéric [Auteur]
Institut des Nanosciences de Paris [INSP]
Barisien, T. [Auteur]
Institut des Nanosciences de Paris [INSP]
Galopin, Elisabeth [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lemaitre, A. [Auteur]
Laboratoire de photonique et de nanostructures [LPN]
Maaref, M. [Auteur]
Testelin, C. [Auteur]
Nanostructures et systèmes quantiques [INSP-E1]
Photonique et cohérence de spin [INSP-E12]
Institut des Nanosciences de Paris [INSP]

Titre de la revue :

Applied physics. A, Materials science & processing

Éditeur :

Springer Verlag

Date de publication :

2016-09

ISSN :

0947-8396

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL