Titre :

Superlattice GaN-on-silicon heterostructures with low trapping in 1200 V

Auteur(s) :

Tajalli, Alaleh [Auteur]
Meneghini, Matteo [Auteur]
Dipartimento di Ingegneria de l'Informazione [Padova] [DEI]
Meneghesso, Gaudenzio [Auteur]
Dipartimento di Ingegneria de l'Informazione [Padova] [DEI]
Kabouche, Riad [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Abid, Idriss [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Püsche, Roland [Auteur]
SOITEC
Derluyn, Joff [Auteur]
SOITEC
Degroote, Stefan [Auteur]
SOITEC
Germain, Marianne [Auteur]
SOITEC
Medjdoub, Farid [Auteur]
WIde baNd gap materials and Devices - IEMN [WIND - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

43rd Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits, WOCSDICE 2019

Ville :

cabourg

Pays :

France

Date de début de la manifestation scientifique :

2019-06-17

Titre de l’ouvrage :

2019 WOCSDICE proceeding

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Résumé en anglais : [en]

The aim of this work is to investigate the role of the epitaxial structure on the low trapping effects of GaN-on-silicon heterostructures use for power application. Structures with and without superlattices (SL) are analysed. ...
Lire la suite >The aim of this work is to investigate the role of the epitaxial structure on the low trapping effects of GaN-on-silicon heterostructures use for power application. Structures with and without superlattices (SL) are analysed. In particular, it is shown that the insertion of SL into the buffer layers allows pushing the vertical breakdown voltage above 1200 V without generating additional trapping effects as compared to a more standard GaN-based epi-structure using similar total buffer thickness. A low trapping effect down to-1.2 kV has been observed with substrate ramp measurements. Indeed, we demonstrated that a structure with SL shows a reduction in the trapping effects with high vertical breakdown.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL