Caracterisation d'AsGa à plans de dopage

Document type :

Compte-rendu et recension critique d'ouvrage

DOI :

Title :

Author(s) :

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Missous, M. [Auteur]
Dobaczewski, L. [Auteur]
Institute of Physics [Warsaw] [IFPAN]
Harness, P. [Auteur]
Maude, Duncan Kennedy [Auteur]
Portal, J. [Auteur]

Journal title :

MRS Proceedings

Publication date :

1994-10

Keyword(s) :

AsGa
Piège DX

English keyword(s) :

GaAs
DX centre

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

French abstract :

Caracterisation d'AsGa à plans de dopage

English abstract : [en]

Electrical Characterization of Delta Doped Gallium Arsenide

Language :

Anglais

Popular science :

Non

Collections :

Source :

Caracterisation d'AsGa à plans de dopage BibTeX CSV Excel RIS