Scaling of GaN HEMTs Thermal Transient ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Scaling of GaN HEMTs Thermal Transient Characteristics
Auteur(s) :
Cutivet, Adrien [Auteur]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Bouchilaoun, Meriem [Auteur]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Hassan, Bilal [Auteur]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Rodriguez, Christophe [Auteur]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Soltani, Ali [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Boone, François [Auteur]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Maher, Hassan [Auteur]
Laboratoire Nanotechnologies Nanosystèmes [LN2 ]
Institut Interdisciplinaire d'Innovation Technologique [Sherbrooke] [3IT]
Titre de la manifestation scientifique :
The compound semiconductor week (CSW)
Ville :
Boston
Pays :
Etats-Unis d'Amérique
Date de début de la manifestation scientifique :
2018-05-29
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL