Measurement of Self-Heating Temperature ...
Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Titre :
Measurement of Self-Heating Temperature in AlGaN/GaN HEMTs by Using Cerium Oxide Micro-Raman Thermometers
Auteur(s) :
Brocero, G. [Auteur]
Thales Air Systems
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Guhel, Y. [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Eudeline, P. [Auteur]
Thales Air Systems
Sipma, J. [Auteur]
Thales Air Systems
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Thales Air Systems
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Guhel, Y. [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Eudeline, P. [Auteur]
Thales Air Systems
Sipma, J. [Auteur]
Thales Air Systems
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Puissance - IEMN [PUISSANCE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Titre de la revue :
IEEE Transactions on Electron Devices
Pagination :
4156-4163
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2019-10
ISSN :
0018-9383
Mot(s)-clé(s) en anglais :
CeO₂ particles
GaN
high-electron-mobility transistors (HEMTs)
micro-Raman thermometers
self-heating
GaN
high-electron-mobility transistors (HEMTs)
micro-Raman thermometers
self-heating
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Source :