Titre :

Growth of c -Axis-Oriented BiCuSeO Thin Films Directly on Si Wafers

Auteur(s) :

Wu, Xiaolin [Auteur]
Hebei University
Gao, Linjie [Auteur]
Hebei University
Roussel, Pascal [Auteur]
Unité de Catalyse et Chimie du Solide - UMR 8181 [UCCS]
Dogheche, El Hadj [Auteur]
Optoélectronique - IEMN [OPTO - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - Département Opto-Acousto-Électronique - UMR 8520 [IEMN-DOAE]
Wang, Jianglong [Auteur]
Hebei University
Fu, Guangsheng [Auteur]
Hebei University
Wang, Shufang [Auteur]
Hebei University

Titre de la revue :

Journal of the American Ceramic Society

Pagination :

3367-3370

Éditeur :

Wiley

Date de publication :

2016

ISSN :

0002-7820

Discipline(s) HAL :

Chimie/Matériaux
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Résumé en anglais : [en]

Single-phase, c-axis-oriented BiCuSeO thin films have been directly grown on the commercial silicon (001) wafers without any surface pretreatment by using pulsed laser deposition. X-ray diffraction pole figure confirms ...
Lire la suite >Single-phase, c-axis-oriented BiCuSeO thin films have been directly grown on the commercial silicon (001) wafers without any surface pretreatment by using pulsed laser deposition. X-ray diffraction pole figure confirms that the film does not have any ab-plane texture, whereas cross-sectional transmission electron microscopy shows good crystallinity of the film even if there exists an amorphous native oxide layer on the wafers surface. At room temperature, the resistivity of the film is about 14 mΩ cm, which is much lower than that reported for corresponding single crystals as well as polycrystalline bulks. This work demonstrates the possibility of using the available state-of-the-art silicon processing techniques to create BiCuSeO-based thin-film thermoelectric devices.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL