Titre :

Lateral band gap modulation by controlled elastic relaxation of strained multiquantum well structures on InP

Auteur(s) :

Leclercq, Jean -Louis [Auteur]
Laboratoire d'électronique, automatique et mesures électriques [LEAME]
Viktorovich, Pierre [Auteur]
Laboratoire d'électronique, automatique et mesures électriques [LEAME]
Letartre, X. [Auteur]
Laboratoire d'électronique, automatique et mesures électriques [LEAME]
Nuban, M. [Auteur]
Laboratoire d'électronique, automatique et mesures électriques [LEAME]
Gendry, Michel [Auteur]
Laboratoire d'électronique, automatique et mesures électriques [LEAME]
Benyatou, T. [Auteur]
Laboratoire de physique de la matière [LPM]
Guillot, G. [Auteur]
Laboratoire de physique de la matière [LPM]
Fierling, G. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Priester, C. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Applied Physics Letters

Pagination :

1301-1303

Éditeur :

American Institute of Physics

Date de publication :

1995-08-28

ISSN :

0003-6951

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL