Titre :

Improvement of interfacial properties of Al2O3/GaSb using O2 plasma postoxidation process

Auteur(s) :

Lechaux, Y. [Auteur]
Fadjie-Djomkam, A-B. [Auteur]
Bollaert, Sylvain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Morgenroth, L. [Auteur]
Wichmann, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

2016 IEEE Nanotechnology Materials and Devices Conference (NMDC)

Ville :

Toulouse

Pays :

France

Date de début de la manifestation scientifique :

2016-10-09

Éditeur :

IEEE

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Matériaux
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL