Titre :

A G band +2 dBm balanced frequency doubler in 55 nm SiGe BiCMOS

Auteur(s) :

Aouimeur, Walid [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Moron Guerra, José [Auteur]
ASYGN
Serhan, Ayssar [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Quémerais, Thomas [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Gloria, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Lauga-Larroze, Estelle [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Arnould, Jean-Daniel [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

2017 IEEE 17th Topical Meeting on Silicon Monolithic Integrated Circuits in RF Systems (SiRF)

Ville :

Phoenix, AZ

Pays :

Etats-Unis d'Amérique

Date de début de la manifestation scientifique :

2017-01-15

Éditeur :

IEEE

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Frequency measurement
Power generation
Power amplifiers
Power measurement
Gain
Silicon germanium

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electromagnétisme

Résumé en anglais : [en]

In this paper, a new balanced frequency doubler based on a Marchand Balun with Coupled Slow-wave Coplanar Wave (CS-CPW) lines in G band is presented and analyzed. The experimental results of the frequency doubler exhibit ...
Lire la suite >In this paper, a new balanced frequency doubler based on a Marchand Balun with Coupled Slow-wave Coplanar Wave (CS-CPW) lines in G band is presented and analyzed. The experimental results of the frequency doubler exhibit at 174 GHz a peak output power of +2 dBm associate with a linear conversion gain of -3.8 dB, a frequency bandwidth of 160 to 190 GHz and a DC power consumption of 25 mW. This doubler is fabricated in a 55 nm SiGe BiCMOS technology from STMicroelectronics with f t /f max 320/370 GHz respectively and an area of 1200×700 μm 2 including the pads.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL