A G band frequency quadrupler in 55 nm ...
Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
A G band frequency quadrupler in 55 nm BiCMOS for bist applications
Auteur(s) :
Aouimeur, Walid [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Lauga-Larroze, Estelle [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Arnould, Jean-Daniel [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Moron Guerra, José [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Quémerais, Thomas [Auteur]
STMicroelectronics [Grenoble] [ST-GRENOBLE]
Gloria, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Serhan, Ayssar [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Lauga-Larroze, Estelle [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Arnould, Jean-Daniel [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Moron Guerra, José [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lepilliet, sl [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Quémerais, Thomas [Auteur]
STMicroelectronics [Grenoble] [ST-GRENOBLE]
Gloria, Daniel [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Serhan, Ayssar [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC ]
Titre de la manifestation scientifique :
2017 Integrated Nonlinear Microwave and Millimetre-wave Circuits Workshop (INMMiC)
Ville :
Graz
Pays :
Autriche
Date de début de la manifestation scientifique :
2017-04-20
Éditeur :
IEEE
Mot(s)-clé(s) en anglais :
Power generation
Power amplifiers
BiCMOS integrated circuits
Bandwidth
Harmonic analysis
Silicon germanium
Power amplifiers
BiCMOS integrated circuits
Bandwidth
Harmonic analysis
Silicon germanium
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electromagnétisme
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electromagnétisme
Résumé en anglais : [en]
In this paper, a frequency quadrupler based on a single ended frequency doubler, a new Marchand Balun with Coupled Slow-wave Coplanar Wave (CS-CPW) lines and a balanced frequency doubler in G band is presented and analyzed ...
Lire la suite >In this paper, a frequency quadrupler based on a single ended frequency doubler, a new Marchand Balun with Coupled Slow-wave Coplanar Wave (CS-CPW) lines and a balanced frequency doubler in G band is presented and analyzed for in-situ characterization applications. The experimental results of the frequency quadrupler exhibit at 180 GHz a peak output power of -4.5 dBm associate with a linear conversion gain of -5.5 dB, a frequency bandwidth of 160 to 190 GHz and a DC power consumption of 39 mW. This quadrupler has been fabricated in the 55 nm SiGe BiCMOS technology from STMicroelectronics, the chip area is 1850×780 μm 2 including the pads.Lire moins >
Lire la suite >In this paper, a frequency quadrupler based on a single ended frequency doubler, a new Marchand Balun with Coupled Slow-wave Coplanar Wave (CS-CPW) lines and a balanced frequency doubler in G band is presented and analyzed for in-situ characterization applications. The experimental results of the frequency quadrupler exhibit at 180 GHz a peak output power of -4.5 dBm associate with a linear conversion gain of -5.5 dB, a frequency bandwidth of 160 to 190 GHz and a DC power consumption of 39 mW. This quadrupler has been fabricated in the 55 nm SiGe BiCMOS technology from STMicroelectronics, the chip area is 1850×780 μm 2 including the pads.Lire moins >
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Source :