Compact Model for Inversion Charge in III–V ...

Type de document :
Article dans une revue scientifique: Article original
DOI :
10.1109/TNANO.2015.2444653
Titre :
Compact Model for Inversion Charge in III–V Bulk MOSFET Including Non-Parabolicity
Auteur(s) :
Hiblot, Gaspard [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Mugny, Gabriel [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives - Laboratoire d'Electronique et de Technologie de l'Information [CEA-LETI]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Rafhay, Quentin [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Boeuf, Frédéric [Auteur]
STMicroelectronics [Crolles] [ST-CROLLES]
Ghibaudo, Gérard [Auteur]
Institut de Microélectronique, Electromagnétisme et Photonique - Laboratoire d'Hyperfréquences et Caractérisation [IMEP-LAHC]
Titre de la revue :
IEEE Transactions on Nanotechnology
Pagination :
768-775
Éditeur :
Institute of Electrical and Electronics Engineers
Date de publication :
2015-07
ISSN :
1536-125X
Mot(s)-clé(s) en anglais :
compact model
bulk
III-V
MOSFET
inversion charge
Mastar
ITRS
quantum mechanical effects
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Résumé en anglais : [en]
In this paper, Poisson-Schrödinger simulations of bulk MOSFETs with an InGaAs channel, including traps and nonparabolicity, are compared against experimental data. These simulations are later used to validate a compact ...
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Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Projet ANR :
Modélisation de nanodispositifs pour des applications à faible consommation
Collections :
Source :
Harvested from HAL