Titre :

Chemical nature of the anion antisite in dilute phosphide GaAs1−xPx alloy grown at low temperature

Auteur(s) :

Demonchaux, T. [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Sossoe, K. K. [Auteur]
Laboratoire de Physique des Composants à Semiconducteurs [LPCS]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Dzagli, M. M. [Auteur]
Laboratoire de Physique des Composants à Semiconducteurs [LPCS]
Nys, J. P. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthe, Maxime [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Troadec, David [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Addad, A. [Auteur]
Laboratoire de structures et propriétés de l'état solide - UMR 8008 [LSPES]
Veillerot, M. [Auteur]
Université Grenoble Alpes [2016-2019] [UGA [2016-2019]]
Patriarche, G. [Auteur]
Centre de Nanosciences et de Nanotechnologies [Orsay] [C2N]
Bardeleben, H. J. Von [Auteur]
Couches nanométriques : formation, interfaces, défauts [INSP-E5]
Schnedler, M. [Auteur]
Peter Grünberg Institute [PGI]
Coinon, Christophe [Auteur]
Centrale de Micro Nano Fabrication - IEMN [CMNF - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
LEFEBVRE, Isabelle [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mohou, M. A. [Auteur]
Laboratoire de Physique des Composants à Semiconducteurs [LPCS]
Stievenard, D. [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lampin, Jean-Francois [Auteur]
Photonique THz - IEMN [PHOTONIQUE THZ - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ebert, Ph. [Auteur]
Peter Grünberg Institute [PGI]
Wallart, Xavier [Auteur]
EPItaxie et PHYsique des hétérostructures - IEMN [EPIPHY - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, Bruno [Auteur]
Physique - IEMN [PHYSIQUE - IEMN]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Physical Review Materials

Pagination :

104601

Éditeur :

American Physical Society

Date de publication :

2018-10

ISSN :

2475-9953

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Charge
Semiconductor compounds
Density functional theory
Scanning tunneling microscopy

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]

Résumé en anglais : [en]

While nonstoichiometric binary III-V compounds are known to contain group-V antisites, the growth of ternary alloys consisting of two group-V elements might give additional degrees of freedom in the chemical nature of these ...
Lire la suite >While nonstoichiometric binary III-V compounds are known to contain group-V antisites, the growth of ternary alloys consisting of two group-V elements might give additional degrees of freedom in the chemical nature of these antisites. Using cross-sectional scanning tunneling microscopy (STM), we investigate low-temperature-grown dilute GaAs1−xPx alloys. High concentrations of negatively charged point defects are found. Combined with transmission electron microscopy and pump-probe transient reflectivity, this study shows that the defects have a behavior similar to the group-V antisites. Further analyses with x-ray diffraction point to the preferential incorporation of arsenic antisites, consistent with ab initio calculations, that yield a formation energy 0.83 eV lower than for phosphorus antisites. Although the negative charge carried by the arsenic antisites in the STM images is shown to be induced by the proximity of the STM tip, the arsenic antisites are not randomly distributed in the alloy, providing insight into the evolution of their charge state during the growth.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Centre expérimental pour l'étude des propriétés des nanodispositifs dans un large spectre du DC au moyen Infra-rouge.

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL