Titre :

Reliability assessment of ultra-short gate length AlGaN/GaN HEMTs on Si substrate by on-state step stress

Auteur(s) :

Lakhdar, Hadhemi [Auteur]
Labat, Nathalie [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Curutchet, Arnaud [Auteur]
Laboratoire de l'intégration, du matériau au système [IMS]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Malbert, Nathalie [Auteur]

Titre de la revue :

Microelectronics Reliability

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

2016

ISSN :

0026-2714

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL