GaN MESFETs for high temperature applications

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...)
URL permanente :
http://hdl.handle.net/20.500.12210/45696
Titre :
GaN MESFETs for high temperature applications
Auteur(s) :
Trassaert, S. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Theron, Didier [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Crosnier, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Huet, Fabrice [Auteur]
Poisson, M.A. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
23th Workshop On Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits (WOCSDICE)
Ville :
Chantilly
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
1999
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
Date de dépôt :
2021-07-27T12:10:05Z