Optimization of GaAs/Al0.22Ga0.78As HFET ...

Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Optimization of GaAs/Al0.22Ga0.78As HFET gate recess for the realization of linear power amplifier
Auteur(s) :
Hue, X. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Crosnier, Y. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
8th European Workshop on Heterostructure Technology (HETECH)
Ville :
Cardiff
Pays :
Royaume-Uni
Date de début de la manifestation scientifique :
1998
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL