Influence d’un stress à canal ouvert sur ...

Document type :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Title :
Influence d’un stress à canal ouvert sur les signaux d’électroluminescence émis par des transistors AlInN/GaN
Author(s) :
Berthet, Fanny [Auteur]
Brocero, Guillaume [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Thales Air Systems
Petitdidier, Sebastien [Auteur]
Guhel, Yannick [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Eudeline, Philippe [Auteur]
Thales Air Systems
Trolet, Jean Lionel [Auteur]
Ecole des applications militaires de l'énergie atomique [EAMEA]
Mary, Patrick [Auteur]
Ecole des applications militaires de l'énergie atomique [EAMEA]
Vivier, A. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Equipe Electronique - Laboratoire GREYC - UMR6072
Conference title :
20es Journées Nationales Microondes
City :
Saint Malo
Country :
France
Start date of the conference :
2017
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Language :
Français
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Internationale
Popular science :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL