Titre :

LT GaAs HFET: a novel concept to overcome the breakdown limitation

Auteur(s) :

Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Salmer, Georges [Auteur]
Lipka, M. [Auteur]
Birk, M. [Auteur]
Heinecke, H. [Auteur]
Splingart, B. [Auteur]
Kohn, Erhard [Auteur]
Thomas, Hugues [Auteur]
Morgan, D. V. [Auteur]
Schneider, J. [Auteur]

Titre de la manifestation scientifique :

23rd Symposium on compound semiconductors

Ville :

St Petersburg

Pays :

Russie

Date de début de la manifestation scientifique :

1996

Date de publication :

1997

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL