Gate current analysis of LT-GaAs passivated ...
Document type :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
Title :
Gate current analysis of LT-GaAs passivated MESFETs
Author(s) :
Boudart, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Théron, Didier [Auteur]

Journal title :
Electronics Letters
Publisher :
IET
Publication date :
1997
ISSN :
0013-5194
HAL domain(s) :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Language :
Anglais
Popular science :
Non
Source :