Thermal Analysis of AlN/GaN/AlGaN HEMTs ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Thermal Analysis of AlN/GaN/AlGaN HEMTs grown on Si and SiC Substrate through TCAD Simulations and Measurements
Auteur(s) :
Sahoo, A.K. [Auteur]
Systèmes RF [XLIM-SRF]
Subramani, N.K. [Auteur]
Systèmes RF [XLIM-SRF]
Nallatamby, Jean-Christophe [Auteur]
Systèmes RF [XLIM-SRF]
Sommet, Raphaël [Auteur]
Systèmes RF [XLIM-SRF]
Quéré, R [Auteur]
Systèmes RF [XLIM-SRF]
Rolland, Nathalie [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Medjdoub, Farid [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
Proceedings of the 46st European Microwave Conference, EuMW 2016
Ville :
London, UK
Pays :
Royaume-Uni
Date de début de la manifestation scientifique :
2016
Date de publication :
2016-10
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]/Electronique
Résumé en anglais : [en]
no abstract
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Internationale
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL