Titre :

HIGH-K THIN FILMS AS DIELECTRIC TRANSDUCERS FOR FLEXURAL M/NEMS RESONATORS

Auteur(s) :

Fuinel, Cécile [Auteur]
Équipe NanoBioSystèmes [LAAS-NBS]
Daffé, Khadim [Auteur]
Équipe NanoBioSystèmes [LAAS-NBS]
Laborde, Adrian [Auteur]
Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique [LAAS-TEAM]
Thomas, Olivier [Auteur]
Laboratoire des Sciences de l'Information et des Systèmes [LSIS]
Mazenq, Laurent [Auteur]
Service Techniques et Équipements Appliqués à la Microélectronique [LAAS-TEAM]
Nicu, Liviu [Auteur]
Équipe NanoBioSystèmes [LAAS-NBS]
Leichle, Thierry [Auteur]
Équipe NanoBioSystèmes [LAAS-NBS]
Legrand, Bernard [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

The 29th IEEE International Conference on Micro Electro Mechanical Systems (MEMS 2016)

Organisateur(s) de la manifestation scientifique :

IEEE

Ville :

Shanghai

Pays :

Chine

Date de début de la manifestation scientifique :

2016-01-24

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]/Micro et nanotechnologies/Microélectronique

Résumé en anglais : [en]

We show that a nanometer-thick high-K material can be used as an electromechanical transducer to actuate the flexural mode of micro/nanoresonators. In this study, a 15 nm silicon nitride layer is employed on top of 320 nm ...
Lire la suite >We show that a nanometer-thick high-K material can be used as an electromechanical transducer to actuate the flexural mode of micro/nanoresonators. In this study, a 15 nm silicon nitride layer is employed on top of 320 nm thick silicon beams. The devices, smaller by 2 orders of magnitude than in previous studies, are successfully driven into vibration at resonance frequencies greater than 1 MHz, nanometer amplitudes, and quality factors greater than 2,000 in vacuum. We also deduce the transduction efficiency from a thermomechanical displacement noise calibration. This work paves the way for efficient electromechanical transduction scheme at the nanoscale, which would be further strengthened by the use of high-K dielectric materials obtained by atomic layer deposition.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL