Titre :

MOVPE growth of InGaN alloys with high In content on ZnO template substrates

Auteur(s) :

Sundaram, Suresh [Auteur]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Puybaret, Renaud [Auteur]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Rogers, Dave J. [Auteur]
Teherani, Ferechteh Hosseini [Auteur]
Nanovation SARL
Sandana, Eric Vinod [Auteur]
Laboratoire des Solides Irradiés - Irradiated Solids Laboratory [LSI]
Bove, Philippe [Auteur]
Nanovation SARL
El Gmili, Youssef [Auteur]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Troadec, David [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Patriarche, Gilles [Auteur]
Voss, Paul L [Auteur]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Salvestrini, Jean-Paul [Auteur]
Laboratoire Matériaux Optiques, Photonique et Systèmes [LMOPS]
Ougazzaden, Abdallah [Auteur]
Georgia Tech Lorraine [Metz]

Titre de la manifestation scientifique :

SPIE Photonics West

Ville :

San Francisco

Pays :

Etats-Unis d'Amérique

Date de début de la manifestation scientifique :

2015-02-07

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]/Matière Condensée [cond-mat]/Science des matériaux [cond-mat.mtrl-sci]

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Nouvelles cellules photovoltaïques tandem à base de nitrures d'indium et de gallium sur oxyde de zinc sur silicium

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL