Title :

Nanoscale carrier multiplication mapping in a Si diode

Author(s) :

Durand, Corentin [Auteur]
Surfaces, Interfaces et Nano-Objets [CEMES-SINanO]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Capiod, Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthe, Maxime [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nys, Jean-Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Krzeminski, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stiévenard, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delerue, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, Bruno [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Journal title :

Nano Letters

Pages :

pp 5636-5640

Publisher :

American Chemical Society

Publication date :

2014-09-24

ISSN :

1530-6984

HAL domain(s) :

Physique [physics]/Physique [physics]/Physique Numérique [physics.comp-ph]

English abstract : [en]

Carrier multiplication (CM), the creation of electron-hole pairs from an excited electron, has been investigated in a silicon p-n junction by multiple probe scanning tunneling microscopy. The technique enables an unambiguous ...
Show more >Carrier multiplication (CM), the creation of electron-hole pairs from an excited electron, has been investigated in a silicon p-n junction by multiple probe scanning tunneling microscopy. The technique enables an unambiguous determination of the quantum yield based on the direct measurement of both electron and hole currents, that are generated by hot tunneling electrons. The combined effect of impact ionization, carrier diffusion and recombination is directly visualized from the spatial mapping of the CM efficiency. Atomically well-ordered areas of the p-n junction surface sustain the highest CM rate, demonstrating the key role of the surface in reaching high yield.Show less >

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Internationale

Popular science :

Non

ANR Project :

Centre expérimental pour l'étude des propriétés des nanodispositifs dans un large spectre du DC au moyen Infra-rouge.

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL