Titre :

Nanoscale carrier multiplication mapping in a Si diode

Auteur(s) :

Durand, Corentin [Auteur]
Surfaces, Interfaces et Nano-Objets [CEMES-SINanO]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Capiod, Pierre [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Berthe, Maxime [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Nys, Jean-Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Krzeminski, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Stiévenard, Didier [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Delerue, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grandidier, Bruno [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

Nano Letters

Pagination :

pp 5636-5640

Éditeur :

American Chemical Society

Date de publication :

2014-09-24

ISSN :

1530-6984

Discipline(s) HAL :

Physique [physics]/Physique [physics]/Physique Numérique [physics.comp-ph]

Résumé en anglais : [en]

Carrier multiplication (CM), the creation of electron-hole pairs from an excited electron, has been investigated in a silicon p-n junction by multiple probe scanning tunneling microscopy. The technique enables an unambiguous ...
Lire la suite >Carrier multiplication (CM), the creation of electron-hole pairs from an excited electron, has been investigated in a silicon p-n junction by multiple probe scanning tunneling microscopy. The technique enables an unambiguous determination of the quantum yield based on the direct measurement of both electron and hole currents, that are generated by hot tunneling electrons. The combined effect of impact ionization, carrier diffusion and recombination is directly visualized from the spatial mapping of the CM efficiency. Atomically well-ordered areas of the p-n junction surface sustain the highest CM rate, demonstrating the key role of the surface in reaching high yield.Lire moins >

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Projet ANR :

Centre expérimental pour l'étude des propriétés des nanodispositifs dans un large spectre du DC au moyen Infra-rouge.

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL