InAs/AlGaSb Esaki tunnel diodes grown by ...

Document type :
Communication dans un congrès avec actes
DOI :
10.1109/ICIPRM.2014.6880530
Title :
InAs/AlGaSb Esaki tunnel diodes grown by selective area epitaxy on GaSb (001) substrate
Author(s) :
Desplanque, Ludovic [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Han, Xianglei [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Fahed, Maria [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
K. Chinni, Vinay [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Troadec, David [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chauvat, M.-P. [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Ruterana, Pierre [Auteur]
Centre de recherche sur les Ions, les MAtériaux et la Photonique [CIMAP - UMR 6252]
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Conference title :
26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2014, Compound Semiconductor Week, CSW 2014
City :
Montpellier
Country :
France
Start date of the conference :
2014
Book title :
Proceedings of 26th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, IPRM 2014, Compound Semiconductor Week, CSW 2014
Publication date :
2014
English keyword(s) :
apertures
current density
molecular beam epitaxial growth
substrates
tunneling
English abstract : [en]
We report on the realization of AlGaSb/InAs Esaki tunnel diodes on GaSb (001) substrate. Selective area molecular beam epitaxy of InAs is used to define the area of the diodes down to submicron dimensions. A peak current ...
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Language :
Anglais
Peer reviewed article :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Popular science :
Non
Collections :
Source :
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