InAs based Esaki tunnel diodes

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
InAs based Esaki tunnel diodes
Auteur(s) :
Chinni, Vinay Kumar [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Desplanque, Ludovic [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaknoune, Mohammed [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Wallart, Xavier [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014
Ville :
Villeneuve d'Ascq
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2014
Date de publication :
2014
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
We present simulation results of InAs based Esaki tunnel diodes. InAs homojunction and InAs/AlGaSb heterojunction are considered and we investigate the role of source and drain doping levels as well as band energy ...
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Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL