Combinaison d'une polarisation élevée et d'une forte tenue en tension pour les transistors AlN/GaN sur Si

Abstract

Nous avons réalisé un transistor à double hétérostructure AlN/GaN/AlGaN sur substrat Silicium (111) combinant une tension de claquage élevée et une faible résistance à l'état passant avec une épaisseur totale de buffer de l'ordre de 2μm. Une technique de gravure locale du substrat a été développée afin de renforcer considérablement la tenue en tension des transistors. La tension de claquage pour une distance grille-drain de 15μm a été significativement améliorée en passant de 750V à 1.9kV, après une gravure locale du substrat. La forte densité d'électrons du gaz 2D (2×1013cm-2) associée à la faible résistance surfacique ont permis d'atteindre une combinaison record de faible résistance à l'état passant (1.6mΩcm²) et d'une tension de claquage élevée pour des transistors GaN sur Si.