Titre :

Key parameters of CVD-grown graphene on copper foil and its transfer for radio-frequency applications

Auteur(s) :

Wei, Wei [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Deokar, Geetanjali [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Belhaj, Mohamed Moez [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Mele, David [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pallecchi, Emiliano [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Pichonat, Emmanuelle [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Vignaud, Dominique [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Happy, Henri [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la manifestation scientifique :

17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014

Ville :

Villeneuve d'Ascq

Pays :

France

Date de début de la manifestation scientifique :

2014-05-26

Titre de l’ouvrage :

Actes des 17èmes Journées Nationales du Réseau Doctoral en Micro-Nanoélectronique, JNRDM 2014

Date de publication :

2014

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

To synthesize monolayer graphene and realize defect free transfer for electronic devices application are still challenges. In this letter, we present the fabrication and characterization of graphene field effect transistor ...
Lire la suite >To synthesize monolayer graphene and realize defect free transfer for electronic devices application are still challenges. In this letter, we present the fabrication and characterization of graphene field effect transistor (GFET), with respect to key parameters of graphene growth on Cu by chemical vapor deposition (CVD) and an optimized transfer process. Scanning electron microscopy, Raman spectroscopy and Hall effect measurement were used for characterizing graphene quality. It was found that monolayer graphene with a low defect density and hole mobility up to 3180cm2/Vs at n=1.3 10^12 cm-2, could be obtained. For device characterization, We report an intrinsic current gain cut-off frequency (ft) of 15.5 GHz and maximum oscillation frequency of 12 GHz, deduced from the S-parameters measurements for device with gate length of 100 nm. This study demonstrate the potential of CVD-grown graphene for high speed electronics in combination with a technological process compatible with arbitrary substrates.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Internationale

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL