Title :

Polarization engineering of AlGaN/GaN HEMTs for high power applications at 40 GHz

Author(s) :

Rennesson, Stéphanie [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Lecourt, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chmielowska, M. [Auteur]
Chenot, S. [Auteur]
Lesecq, Marie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Okada, Etienne [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Yvon [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Conference title :

Joint 5th International Workshop on Silicon Carbide Hetero-Epitaxy and 5th Workshop on Advanced Semiconductor Materials and Devices for Power Electronics Applications, HeteroSiC-WASMPE 2013

City :

Nice

Country :

France

Start date of the conference :

2013

HAL domain(s) :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Language :

Anglais

Peer reviewed article :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Popular science :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL