Réalisation et caractérisation de transistors ...

Document type :
Partie d'ouvrage
Title :
Réalisation et caractérisation de transistors HEMTs GaN pour des applications dans le domaine millimétrique
Author(s) :
Bouzid-Driad, Samira [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Publication date :
2013
Language :
Français
Audience :
Non spécifiée
Collections :
Source :
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