Titre :

Power performance at 40 GHz on quaternary barrier InAlGaN/GaN HEMT

Auteur(s) :

Lecourt, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Agboton, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Ketteniss, Nico [Auteur]
RWTH Aachen University = Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen [RWTH Aachen]
Behmenburg, Hannes [Auteur]
RWTH Aachen University = Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen [RWTH Aachen]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Hoel, Virginie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Kalisch, Holger [Auteur]
RWTH Aachen University = Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen [RWTH Aachen]
Vescan, Andrei [Auteur]
RWTH Aachen University = Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen [RWTH Aachen]
Heuken, Michael [Auteur]
RWTH Aachen University = Rheinisch-Westfälische Technische Hochschule Aachen [RWTH Aachen]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]

Titre de la revue :

IEEE Electron Device Letters

Pagination :

978-980

Éditeur :

Institute of Electrical and Electronics Engineers

Date de publication :

2013

ISSN :

0741-3106

Mot(s)-clé(s) en anglais :

Logic gates
HEMTs
Performance evaluation
Substrates
Gain
Delays

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

Depletion-mode high-electron mobility transistors (HEMTs) based on a quaternary barrier In 0.11 Al 0.72 Ga 0.17 N/GaN heterostructure on sapphire substrate are fabricated and characterized. This structure shows a very high ...
Lire la suite >Depletion-mode high-electron mobility transistors (HEMTs) based on a quaternary barrier In 0.11 Al 0.72 Ga 0.17 N/GaN heterostructure on sapphire substrate are fabricated and characterized. This structure shows a very high Hall electron mobility of 2200 cm 2 /V·s, which is the highest value ever reported on In-containing GaN-based HEMTs. For T-shaped gate transistor with a gate length of 75 nm, current gain (f t ) and power gain (f max ) cutoff frequencies of 113 and 200 GHz are extracted from S-parameter measurements, respectively. Nonlinear characterization of a T-shaped gate device with a gate length of 225 nm gives an output power density of 2 W/mm at 40 GHz. These results clearly demonstrate the capabilities of such quaternary barrier-based devices.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL