Titre :

Direct-current and radio-frequency characteristics of passivated AlGaN/GaN/Si high electron mobility transistors

Auteur(s) :

Mosbahi, H. [Auteur]
Gassoumi, M. [Auteur]
Mejri, H. [Auteur]
Saidi, I. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zaidi, M.A. [Auteur]
Maaref, H. [Auteur]

Titre de la revue :

Current Applied Physics

Pagination :

1359-1364

Éditeur :

Elsevier

Date de publication :

2013

ISSN :

1567-1739

Langue :

Anglais

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL