In situ high-temperature characterization ...

Type de document :
Article dans une revue scientifique: Article original
DOI :
10.1063/1.4812565
Titre :
In situ high-temperature characterization of AlN-based surface acoustic wave devices
Auteur(s) :
Aubert, T. [Auteur]
Laboratoire SYstèmes et Matériaux pour la MEcatronique [SYMME]
Bardong, Jochen [Auteur]
Legrani, Ouarda [Auteur]
Institut Jean Lamour [IJL]
Elmazria, O. [Auteur]
Institut Jean Lamour [IJL]
Badreddine Assouar, M. [Auteur]
Georgia Tech Lorraine [Metz]
Institut Jean Lamour [IJL]
Bruckner, Gudrun [Auteur]
Talbi, Abdelkrim [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la revue :
Journal of Applied Physics
Pagination :
014505
Éditeur :
American Institute of Physics
Date de publication :
2013
ISSN :
0021-8979
Discipline(s) HAL :
Physique [physics]/Physique [physics]/Instrumentations et Détecteurs [physics.ins-det]
Résumé en anglais : [en]
We report on in situ electrical measurements of surface acoustic wave delay lines based on AlN/sapphire structure and iridium interdigital transducers between 20 °C and 1050 °C under vacuum conditions. The devices show a ...
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Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
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