Titre :

AlN/SI interfaces properties revealed by broadband characterization of coplanar waveguides

Auteur(s) :

Cutivet, Adrien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Agboton, Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Altuntas, Philippe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lecourt, François [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Lesecq, Marie [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Defrance, Nicolas [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Cordier, Yvon [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Chmielowska, Magdalena [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Rennesson, Stephanie [Auteur]
Centre de recherche sur l'hétéroepitaxie et ses applications [CRHEA]
Camus, Julien [Auteur]
Institut des Matériaux Jean Rouxel [IMN]
Aït Aïssa, Keltouma [Auteur]
Institut des Matériaux Jean Rouxel [IMN]
Le Brizoual, Laurent [Auteur]
Institut des Matériaux Jean Rouxel [IMN]
Djouadi, Mohamed Abdou [Auteur]
Institut des Matériaux Jean Rouxel [IMN]
De Jaeger, Jean-Claude [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Boone, F. [Auteur]
Hassan, Maher, [Auteur]

Titre de la manifestation scientifique :

37th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2013

Ville :

Warnemünde

Pays :

Allemagne

Date de début de la manifestation scientifique :

2013

Titre de l’ouvrage :

Proceedings of 37th Workshop on Compound Semiconductor Devices and Integrated Circuits held in Europe, WOCSDICE 2013

Date de publication :

2013

Discipline(s) HAL :

Sciences de l'ingénieur [physics]

Résumé en anglais : [en]

From the characterization of structure equivalent loss tangent under different conditions (bias and temperature) obtained through propagation constant and characteristic impedance extraction of CPW line, we propose a ...
Lire la suite >From the characterization of structure equivalent loss tangent under different conditions (bias and temperature) obtained through propagation constant and characteristic impedance extraction of CPW line, we propose a coherent analysis of the properties of an AlN/Si interface featured with a GaN on Si HEMT technology.Lire moins >

Langue :

Anglais

Comité de lecture :

Oui

Audience :

Non spécifiée

Vulgarisation :

Non

Collections :

• Institut d'Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie (IEMN) - UMR 8520

Source :

Harvested from HAL