Utilizing NDR effect to reduce switching ...

Type de document :
Compte-rendu et recension critique d'ouvrage
DOI :
10.1007/s00339-013-7550-5
Titre :
Utilizing NDR effect to reduce switching threshold variations in memristive devices
Auteur(s) :
Alibart, Fabien [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Strukov, D.B. [Auteur]
Titre de la revue :
Applied physics. A, Materials science & processing
Pagination :
199-202
Éditeur :
Springer Verlag
Date de publication :
2013
ISSN :
0947-8396
Langue :
Anglais
Vulgarisation :
Non
Collections :
Source :
Harvested from HAL
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