Towards highly scaled AlN/GaN-on-silicon ...

Type de document :
Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Towards highly scaled AlN/GaN-on-silicon devices for millimeter wave applications
Auteur(s) :
Medjdoub, Farid [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Zegaoui, Malek [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Grimbert, B. [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
DUCATTEAU, Damien [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, Nathalie [Auteur] refId
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Rolland, Paul-Alain [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Titre de la manifestation scientifique :
7th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2012
Ville :
Amsterdam
Pays :
Pays-Bas
Date de début de la manifestation scientifique :
2012-10-29
Titre de l’ouvrage :
Proceedings of 7th European Microwave Integrated Circuits Conference, EuMIC 2012
Date de publication :
2012
Mot(s)-clé(s) en anglais :
AlN/GaN
GaN-on-Si
millimeter wave
power amplifiers
Discipline(s) HAL :
Sciences de l'ingénieur [physics]
Résumé en anglais : [en]
In this work, the possibility to achieve GaN-on-Si devices for millimeter wave applications operating at high bias is demonstrated. It is shown that highly scaled AlN/GaN-on-Si double heterostructure enables to significantly ...
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Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Commentaire :
Held as Part of 15th European Microwave Week, EuMW 2012
Collections :
Source :
Harvested from HAL