Correlation between the kink effect, ...
Type de document :
Autre communication scientifique (congrès sans actes - poster - séminaire...): Communication dans un congrès avec actes
Titre :
Correlation between the kink effect, collapse effect and traps in AlGaN/GaN HEMT on sapphire substrate
Auteur(s) :
Gassoumi, M. [Auteur]
Fathallah, O. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]
Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guillot, G. [Auteur]
Maaref, H. [Auteur]
Fathallah, O. [Auteur]
Gaquiere, Christophe [Auteur]

Institut d’Électronique, de Microélectronique et de Nanotechnologie - UMR 8520 [IEMN]
Guillot, G. [Auteur]
Maaref, H. [Auteur]
Titre de la manifestation scientifique :
International Conference on Extended Defects in Semiconductors, EDS 2008
Ville :
Poitiers
Pays :
France
Date de début de la manifestation scientifique :
2008
Langue :
Anglais
Comité de lecture :
Oui
Audience :
Non spécifiée
Vulgarisation :
Non
Source :